🚀 ¡Nuevo! Arduino UNO Q 4GB ya disponible en UNIT Electronics ⚡

“Soporte de Alambre de Soldadura” se ha añadido a tu carrito. Ver carrito

SBR10U200P5-13 Diodo 200V 10A PowerDI 5 El precio original era: $ 24.00.El precio actual es: $ 9.15.
K202 Controlador de Huellas + R503 Sensor Dactilar El precio original era: $ 773.00.El precio actual es: $ 525.48.
STM32F030R8T6 MCU Arm Cortex-M0 48MHz LQFP-64 El precio original era: $ 63.00.El precio actual es: $ 57.00.
AT24C512C-SSHD-T IC SMD EEPROM El precio original era: $ 20.00.El precio actual es: $ 10.47.
TCC1206X7R472K102FT Capacitor Cerámico 1206 4.7nF 1000V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 0.41.
Disipadores de Calor 20x20mm / 25x25mm de Aluminio Negro $ 11.00
Conector JST SR 2 Pines Horizontal SM02B-SRSS-TB(LF)(SN) El precio original era: $ 8.00.El precio actual es: $ 2.06.
NodeMCU Rectangular / Base Shield NodeMCU Rango de precios: desde $ 46.00 hasta $ 81.00

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Solo los usuarios registrados que hayan comprado este producto pueden hacer una valoración.