Transistor IRF640

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

• Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
• Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
• Carga de compuerta (Qg): 50 nC
• Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
• Encapsulado: TO-220
• 3 pines

DOCUMENTACIÓN

• Hoja de datos
• Diagramas de conexión
• Footprint
• Modelo 3D