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Controlador de Velocidad PWM para Ventilador 12V 0.8A El precio original era: $ 50.00.El precio actual es: $ 45.00.
CL21A226MQQNNNE Capacitor Cerámico 0805 22uF 6.3V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 1.00.
RT1C101M0605 Capacitor Electrolítico 100uF 16V SMD El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 3.00.
Conectores PH2.0mm con Cable 26AWG 15cm Rango de precios: desde $ 6.00 hasta $ 11.00
46122 Clavijas Planas de Hule Volteck El precio original era: $ 20.00.El precio actual es: $ 18.00.
Potenciómetro de precisión 3590S Rango de precios: desde $ 45.00 hasta $ 59.00
TC33X-2-502E Trimpot SMD 5K Ohms 3x3.8mm El precio original era: $ 7.00.El precio actual es: $ 2.99.
BAR6303WE6327HTSA1 Diodo 50V 100mA SMD El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 2.02.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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