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TNY268PN Conmutador Fuera de Línea DIP-8B El precio original era: $ 22.00.El precio actual es: $ 20.00.
BC559B Transistor BJT TO-92 PNP El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.38.
Cable de Extensión USB Tipo C Macho a Hembra 1m Rango de precios: desde $ 95.00 hasta $ 117.00
Conectores 5557 Macho 4.2mm de 2/4/6/8/16/24 Pines Rango de precios: desde $ 2.00 hasta $ 7.00
CL10A225KO8NNNC Capacitor Cerámico 0603 2.2uF 16V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.36.
SMD0603-005-24V Fusible Reseteable 24V 200mA SMD 0603 El precio original era: $ 6.00.El precio actual es: $ 2.55.
Resistencia de Aluminio 10W ΩJ Rango de precios: desde $ 20.00 hasta $ 32.00
Capacitor Electrolítico 10uF 35V SMD El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 3.00.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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