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K202 Controlador de Huellas + R503 Sensor Dactilar El precio original era: $ 773.00.El precio actual es: $ 525.48.
STM32F103C8T6 MCU Arm Cortex-M3 72MHz LQFP-48 El precio original era: $ 209.00.El precio actual es: $ 188.00.
Oscilador 20MHz SMD HC-49SMD X49SM20MSD2SI El precio original era: $ 8.00.El precio actual es: $ 7.00.
Controlador de Motor a Pasos 5V-12V DC El precio original era: $ 175.00.El precio actual es: $ 140.00.
Osciloscopio DSO138 con Carcasa y Display TFT El precio original era: $ 565.00.El precio actual es: $ 452.00.
BS816A-1 IC SMD Sensor Táctil El precio original era: $ 47.00.El precio actual es: $ 18.88.
PCM5102 Placa de Audio 24bits DAC I2S con Conector Estereo El precio original era: $ 180.00.El precio actual es: $ 162.00.
Conector JST SR 2 Pines Horizontal SM02B-SRSS-TB(LF)(SN) El precio original era: $ 8.00.El precio actual es: $ 2.06.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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