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1206 Matriz Resistor 4.7K Ohms SMD El precio original era: $ 3.00.El precio actual es: $ 1.19.
TCC1206X7R223K101DT Capacitor Cerámico 1206 22nF 100V El precio original era: $ 3.00.El precio actual es: $ 1.14.
1206W4F1005T5E Resistor 10M Ohms 1/4W 1206 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.34.
Control Remoto 433 Mhz Serigrafia Tipo Coche El precio original era: $ 85.00.El precio actual es: $ 42.09.
Capacitor de Poliéster 630V Diferentes Valores Rango de precios: desde $ 4.00 hasta $ 7.00
0603WAF3302T5E Resistor 33K Ohms 1/10W 0603 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.32.
LBSS138LT1G Mosfet N 50v 200mA SMD El precio original era: $ 3.00.El precio actual es: $ 2.00.
SMD0805-075 Fusible Reseteable 6V 1.5A SMD 0805 El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 3.00.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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