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Capacitor de Poliéster 630V Diferentes Valores Rango de precios: desde $ 4.00 hasta $ 7.00
ABS8 Puente Rectificador 800V 800mA SMD El precio original era: $ 7.00.El precio actual es: $ 1.83.
1N60PW Schottky 45V 50mA SMD El precio original era: $ 4.00.El precio actual es: $ 1.63.
Conector USB Tipo A Macho U217-041N-4BV81 El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 3.00.
Reed Relay SIP-1A de 5V / 12V Rango de precios: desde $ 35.00 hasta $ 40.00
Controlador de Motor a Pasos 5V-12V DC El precio original era: $ 175.00.El precio actual es: $ 140.00.
TCC0805X7R222K500DTS Capacitor Cerámico 0805 2.2nF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.18.
PCM5102 Placa de Audio 24bits DAC I2S con Conector Estereo El precio original era: $ 180.00.El precio actual es: $ 162.00.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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