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1206CG4R7C500NT Capacitor Cerámico 1206 4.7pF 50V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 0.45.
CL31A476MQHNNNE Capacitor Cerámico 1206 47uF 6.3V El precio original era: $ 4.00.El precio actual es: $ 1.68.
Pistola de Aire Caliente 2000W 110V 60-600°C El precio original era: $ 418.00.El precio actual es: $ 376.00.
Cable HDMI 1.5/3/5m Rango de precios: desde $ 32.00 hasta $ 62.00
SIM-104 Conector Micro SIM El precio original era: $ 11.00.El precio actual es: $ 3.16.
LD1117S50CTR Regulador de Voltaje 5V 800mA SMD El precio original era: $ 11.00.El precio actual es: $ 5.00.
Soporte de Alambre de Soldadura El precio original era: $ 66.00.El precio actual es: $ 59.00.
Sensor Foto Interruptor Módulo KY-010 El precio original era: $ 23.00.El precio actual es: $ 18.00.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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