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SM7850-101MT Inductor de Ferrita 100uH 720mA El precio original era: $ 9.00.El precio actual es: $ 8.00.
TIP142 Transistor NPN 100V 10A TO-3PN El precio original era: $ 47.00.El precio actual es: $ 42.00.
SST25VF010A-33-4C-SAE-T IC SMD Memoria Flash El precio original era: $ 25.00.El precio actual es: $ 13.04.
TCC0805X7R222K500DTS Capacitor Cerámico 0805 2.2nF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.18.
Conector TRX TRAXXAS Par Macho Hembra El precio original era: $ 27.00.El precio actual es: $ 22.00.
LM317DCYR Regulador de Voltaje 1.2V a 37V 1.5A SMD El precio original era: $ 14.00.El precio actual es: $ 10.00.
A4988SETTR-T IC SMD El precio original era: $ 71.00.El precio actual es: $ 38.99.
RP2040 Pro Micro 16MB El precio original era: $ 136.00.El precio actual es: $ 122.00.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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