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MMBT200 Transistor PNP 500mA 45V $ 6.00
STPS0560Z Diodo 60V 500mA SMD $ 6.00
JMK212BBJ476MG-T Capacitor Cerámico 0805 47uF 6.3V El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 2.06.
UNIT MP34DT05TR-A Módulo Micrófono PDM El precio original era: $ 71.00.El precio actual es: $ 64.00.
TE-808 Lupa de Soldadura con Abrazadera Universal El precio original era: $ 706.00.El precio actual es: $ 635.00.
1N60G-AA3-R Mosfet N 600v 1A SMD El precio original era: $ 7.00.El precio actual es: $ 1.81.
CL10A225KO8NNNC Capacitor Cerámico 0603 2.2uF 16V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.36.
0603WAJ0000T5E Resistor 0 Ohm 1/10W 0603 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.21.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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