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UNIT MP34DT05TR-A Módulo Micrófono PDM El precio original era: $ 71.00.El precio actual es: $ 64.00.
Conector TRX TRAXXAS Par Macho Hembra El precio original era: $ 27.00.El precio actual es: $ 22.00.
Disipadores de Calor Cuadrados Rango de precios: desde $ 3.00 hasta $ 6.00
TCC1206X7R472K102FT Capacitor Cerámico 1206 4.7nF 1000V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 0.41.
LED Receptor Infrarrojo SMD 0805 PT17-21C/L41/TR8 El precio original era: $ 6.00.El precio actual es: $ 2.51.
Interruptor Switch Final de Carrera 125V / 250V Rango de precios: desde $ 7.87 hasta $ 15.00
SMD0603-005-24V Fusible Reseteable 24V 200mA SMD 0603 El precio original era: $ 6.00.El precio actual es: $ 2.55.
Matriz RGB 5mm 8X8 Ánodo Común 2088RGB-5 El precio original era: $ 105.00.El precio actual es: $ 47.10.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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