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INA226AIDGSR IC SMD Sensor Corriente El precio original era: $ 60.00.El precio actual es: $ 32.67.
Bateria LiPo 3.7V 40mAh 451313 El precio original era: $ 42.00.El precio actual es: $ 38.00.
CL10B472KB8NNNC Capacitor Cerámico 0603 4.7nF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.17.
LILYGO TTGO T-Beam V1.2 LoRa32 915 Mhz NEO-6M El precio original era: $ 1,061.00.El precio actual es: $ 849.00.
TIP30C Transistor PNP -100V -1A TO-220C El precio original era: $ 15.00.El precio actual es: $ 14.00.
DRV5053OAQDBZR IC SMD Sensor Hall Bipolar El precio original era: $ 45.00.El precio actual es: $ 24.13.
Oscilador 32.768KHz SMD 8032 X803832768KID4GI El precio original era: $ 16.00.El precio actual es: $ 14.00.
MJ15023 Transistor PNP -350V -16A TO-3 El precio original era: $ 44.00.El precio actual es: $ 40.00.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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