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TPA3110 Amplificador Bluetooth 15W + 15W El precio original era: $ 158.00.El precio actual es: $ 126.00.
Sonoff T5-86 Interruptor de Pared Táctil Canal 1/2/3/4 Rango de precios: desde $ 428.00 hasta $ 496.00
NJW1302G Transistor PNP -250V -15A TO-3PN El precio original era: $ 31.00.El precio actual es: $ 28.00.
SG3525A Controlador PWM SOP-16 $ 13.00
BDW93C Transistor NPN 100V 12A TO-220 El precio original era: $ 32.00.El precio actual es: $ 26.00.
XK-GK-4010A Interruptores de Corta Distancia Rango de precios: desde $ 40.00 hasta $ 43.00
74CBTLV3125PW,118 Interruptor digital El precio original era: $ 14.00.El precio actual es: $ 4.88.
LILYGO TTGO T-Beam V1.2 LoRa32 915 Mhz NEO-6M El precio original era: $ 1,061.00.El precio actual es: $ 849.00.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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