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JMK212BBJ476MG-T Capacitor Cerámico 0805 47uF 6.3V El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 2.06.
NJW1302G Transistor PNP -250V -15A TO-3PN El precio original era: $ 31.00.El precio actual es: $ 28.00.
C11105 Cable Plano Flexible 10 Pin El precio original era: $ 8.00.El precio actual es: $ 6.00.
Conectores SH1.0mm Hembra Rango de precios: desde $ 0.50 hasta $ 1.00
Potenciómetro 3 Pines Eje de 20mm WH148 Diferentes Valores Rango de precios: desde $ 7.00 hasta $ 9.00
YC164-FR-07220RL Matriz Resistor 220 Ohms 1206 El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 1.00.
0603L075SLYR Fusible Reseteable 6V 1.5A SMD 0603 El precio original era: $ 11.00.El precio actual es: $ 5.00.
YC164-FR-07100RL Matriz Resistor 100 Ohms 1206 El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 1.00.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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