SCD30 CO2 Sensor de Calidad de Aire $ 1,048.00
SST26VF032BT-104I/SM IC SMD Memoria Flash El precio original era: $ 63.00.El precio actual es: $ 34.30.
INA226AIDGSR IC SMD Sensor Corriente El precio original era: $ 60.00.El precio actual es: $ 32.67.
Sensor IR Ranura SMD GP1S092HCPIF El precio original era: $ 20.00.El precio actual es: $ 10.42.
RC0603JR-0751RL Resistor 51 Ohms 1/10W 0603 SMD $ 1.00
SMDTS-FS66T-C-A Push Button 6.1x6.1mm El precio original era: $ 7.00.El precio actual es: $ 3.06.
SIM-104 Conector Micro SIM El precio original era: $ 11.00.El precio actual es: $ 3.16.
Par Cables XT60 12AWG 15cm El precio original era: $ 94.00.El precio actual es: $ 75.00.

IRF9640 Transistor MOSFET 200V 11A Canal P(2)

IRF9640 Transistor MOSFET 200V 11A Canal P pinout

IRF9640 Transistor MOSFET 200V 11A Canal P

$ 13.00

41 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 10.43
100 piezas	$ 8.98
200 piezas	$ 7.02

SKU: AR0245 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, MOSFETS Etiquetas: AR0245, cable jumper, canal p, IRF, IRF9640, led, mosfet, Mosfet de Potencia, optoacoplador, to-220, transistor

INFORMACIÓN

Transistor IRF9640 es un transistor MOSFET de Potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo P, 3 pines y un encapsulado TO220, con capacidad de manejar energía de -200V y -11A.

Transistor IRF9640 son de conmutación rápida, tiene una resistencia de encendido baja y alta rentabilidad lo que los hace útiles para aplicaciones de regulación de conmutación, conversión de conmutación, control de motores, relés y conmutación bipolar de alta potencia.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

Tipo: Transistor MOSFET
Matrícula: IRF9640
Encapsulado: TO-220
Pines: 3 pines
Estilo de montaje: Through Hole
Voltaje:
- Umbral V_GS(th): -4V
- Máximo Drenaje a Fuente V_DSS: -200V
- Fuente Máxima V_GS: ±20V_DC
Corriente Máxima de Drenaje ID: -11A
Resistencia de Encendido R_DS(on): 0.50 Ω
Capacidad de conmutación:
- Turn-On Delay Time: 14ns
- Turn-Off Delay Time: 39ns
Capacidad de disipación de Potencia P_D: 125W
Temperatura de Operación T_J: -55° a 150°C
Carga de compuerta (Qg): 44 nC
Dimensiones: 10.2 mm x 15.80 mm x 4.30 mm
Peso: 2 g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

Tipos de Transistores FE

Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.Los mosfet de enriquecimiento pueden ser un dispositivo tanto de canal n (nMOS) como canal p (pMOS). El circuito equivalente de señal pequeña de ca de cualquier de los dos dispositivos.

¿Cómo verificar un transistor Mosfet?

En la función de diodos del multímetro, vamos a colocar la punta de prueba negra ( -) del multímetro, en el terminal Drain y (+) en el terminal Source.
Resultado de la prueba:
Se debe obtener una medida de 513mv o similar (Los resultados varían según el tipo de FET). Sino se obtiene ninguna lectura, el FET esta en circuito abierto. Si la lectura es baja, el FET esta en cortocircuito

¿Cómo Funciona un transistor Mosfet?

El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.