SL0805150 Fusible Reseteable 6V 3A SMD 0805 El precio original era: $ 8.00.El precio actual es: $ 3.45.
1206CG100J500NT Capacitor Cerámico 1206 10pF 50V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 0.42.
NSMD150-13.2V Fusible Reseteable 13.2V 3A SMD 1206 El precio original era: $ 8.00.El precio actual es: $ 7.00.
1206W4J0680T5E Resistor 68 Ohms 1/4W 1206 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.32.
MBRD1045T4G Schottky 45V 10A SMD El precio original era: $ 18.00.El precio actual es: $ 14.00.
Conn Shrouded Header (3 Sides) HDR El precio original era: $ 12.93.El precio actual es: $ 8.63.
2SC3320 Transistor NPN 400V 15A TO-3PN El precio original era: $ 43.00.El precio actual es: $ 39.00.
MJE13005 Transistor NPN 400V 4A TO-220 El precio original era: $ 19.00.El precio actual es: $ 17.00.

Transistor IRF9540

$ 12.00

278 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.97
100 piezas	$ 8.55
200 piezas	$ 6.66

SKU: AR0249 Categoría: TRANSISTORES Etiquetas: AR0249, modulo de 8 relevadores, relevador, transistor

INFORMACIÓN

¿Qué es?
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

¿Para qué es?
Son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.
Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.

¿Cómo Funciona?
El transistor mosfet IRF9540 Tipo T, es un mosfet de -100V de canal P de potencia que proporciona al diseñador con la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. La resistencia térmica baja contribuye a su amplia aceptación en la industria. Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 63 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
3 pines
Peso: 2 g

TUTORIALES

Funcionamiento y mediciones
Mosfet Tutorial

DOCUMENTACIÓN

Hoja de datos
Diagramas de conexión
Footprint
Modelo 3D

Datos adicionales

¿Qué son transistores mosfet?

Los transistores son componentes electrónicos que están presentes en casi todo dispositivo eléctrico y electrónico. Funcionan en base a materiales semiconductores y poseen tres terminales. Puede ser usado como amplificador o como interruptor.

¿Transistor Mosfet como interruptor?

Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturación

Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mínima (prácticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) máximo (casi igual al voltaje de alimentación). Ver la zona amarilla en el gráfico

Un transistor en saturación tiene una corriente de colector (Ic) máxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios).