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ES5G Diodo de Recuperación Rápida SMD El precio original era: $ 45.00.El precio actual es: $ 32.38.
2SD965A Transistor NPN 5A 30V El precio original era: $ 6.00.El precio actual es: $ 2.55.
KF2EDG Bornera de Enchufe Macho Vertical 3.81mm Rango de precios: desde $ 4.00 hasta $ 11.00
NC7SV157P6X Multiplexor El precio original era: $ 9.00.El precio actual es: $ 2.26.
Bast WiFi ESP32 IoT El precio original era: $ 379.00.El precio actual es: $ 314.58.
BAR6303WE6327HTSA1 Diodo 50V 100mA SMD El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 2.02.
GCM188R71H224KA64D Capacitor Cerámico 0603 220nF 50V El precio original era: $ 3.00.El precio actual es: $ 0.62.
CH9102F USB a UART C2858418 El precio original era: $ 56.00.El precio actual es: $ 22.86.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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