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2SC3263 Transistor NPN 230V 15A TO-3PN El precio original era: $ 21.00.El precio actual es: $ 17.00.
Sensor IR Ranura SMD GP1S092HCPIF El precio original era: $ 20.00.El precio actual es: $ 10.42.
TCC0805X7R102M500DT Capacitor Cerámico 0805 1nF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.35.
74LVC14AD,118 Inversor Schmitt El precio original era: $ 9.00.El precio actual es: $ 4.03.
UNIT MP34DT05TR-A Módulo Micrófono PDM El precio original era: $ 71.00.El precio actual es: $ 64.00.
1206W4J0333T5E Resistor 33K Ohms 1/4W 1206 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.33.
Optoacoplador de Alta Velocidad SMD6N137S(TA) El precio original era: $ 13.00.El precio actual es: $ 6.32.
Led Blanco Cálido de potencia 10W / 50W Rango de precios: desde $ 6.14 hasta $ 71.00

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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