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Matriz de 4x4 Push Buttons El precio original era: $ 37.00.El precio actual es: $ 16.45.
FQD13N10LTM Mosfet N 100v 10A SMD El precio original era: $ 23.00.El precio actual es: $ 11.89.
ACS712ELCTR-20A-T IC SMD Sensor Corriente El precio original era: $ 67.00.El precio actual es: $ 60.00.
SIM-104 Conector Micro SIM El precio original era: $ 11.00.El precio actual es: $ 3.16.
ESP8685 ESP8685H2 SMD El precio original era: $ 45.00.El precio actual es: $ 34.03.
MMSZ4678T1G Zener 1.8V 500mW SMD El precio original era: $ 3.00.El precio actual es: $ 1.18.
Inversor de Voltaje DC-AC 150W 12 VDC 110/280 VCA El precio original era: $ 150.00.El precio actual es: $ 135.00.
A4988SETTR-T IC SMD El precio original era: $ 71.00.El precio actual es: $ 38.99.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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