🚀 ¡Nuevo! Arduino UNO Q 4GB ya disponible en UNIT Electronics ⚡

“Convertidor de Señal TTL a RS485” se ha añadido a tu carrito. Ver carrito

LED Verde SMD 0603 NCD0603G1 El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 1.00.
CL21A226MQQNNNE Capacitor Cerámico 0805 22uF 6.3V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 1.00.
AD7705BRZ-REEL IC SMD ADC El precio original era: $ 212.00.El precio actual es: $ 116.31.
TPA3110 Amplificador Bluetooth 15W + 15W El precio original era: $ 158.00.El precio actual es: $ 126.00.
Capacitor Cerámico 0805 4.7uF 25V CL21A475KAQNNNE El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.21.
MFRC52202HN1,151 Lector RFID El precio original era: $ 94.00.El precio actual es: $ 41.24.
FNR6045S560MT Inductor de Ferrita 56uH 1.1A El precio original era: $ 7.00.El precio actual es: $ 2.98.
1206W4F2203T5E Resistor 220K Ohms 1/4W 1206 SMD $ 1.00

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Solo los usuarios registrados que hayan comprado este producto pueden hacer una valoración.