🚀 ¡Nuevo! Arduino UNO Q 4GB ya disponible en UNIT Electronics ⚡

“SN65HVD230 Transceptor CAN 3.3V” se ha añadido a tu carrito. Ver carrito

CL10C010CB8NNNC Capacitor Cerámico 0603 1pF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.23.
Par de Cables Molex 5557 Macho 5559 Hembra Rango de precios: desde $ 20.00 hasta $ 42.00
Capacitor Electrolítico 4.7uF 35V SMD $ 5.00
NJW3281G Transistor NPN 250V 15A TO-3P El precio original era: $ 31.00.El precio actual es: $ 28.00.
Oscilador 6MHz SMD HC-49SMD X49SM6MSD2SC El precio original era: $ 8.00.El precio actual es: $ 2.27.
MJE15033G Transistor PNP -250V -8A TO-220C El precio original era: $ 21.00.El precio actual es: $ 17.00.
Bateria LiPo 3.7V 40mAh 451313 El precio original era: $ 42.00.El precio actual es: $ 38.00.
2SA1294 Transistor PNP -230V -15A TO-3PN El precio original era: $ 21.00.El precio actual es: $ 17.00.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Solo los usuarios registrados que hayan comprado este producto pueden hacer una valoración.