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Módulo de Detección de Rotura de Filamento de Impresora 3D
Valorado con 4.00 de 5
El precio original era: $ 64.00.El precio actual es: $ 51.00.
Separador de Latón M3 Rango de precios: desde $ 3.00 hasta $ 15.00
Filtro Crossover 3 y 2 Vias Rango de precios: desde $ 104.00 hasta $ 130.00
STM32G070KBT6 MCU Arm Cortex-M0 64MHz LQFP-32 El precio original era: $ 51.00.El precio actual es: $ 46.00.
GRM21BR60G107ME15L Capacitor Cerámico 0805 100uF 4V El precio original era: $ 9.00.El precio actual es: $ 6.22.
CC0603JRNPO9BN470 Capacitor Cerámico 0603 47pF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.14.
RBM3-16RBVR Interruptor Rotatorio SMD El precio original era: $ 61.00.El precio actual es: $ 25.17.
0603N100J500CT Capacitor Cerámico 0603 10pF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.14.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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