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0805B561K500CT Capacitor Cerámico 0805 560pF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.19.
SST25VF010A-33-4C-SAE-T IC SMD Memoria Flash El precio original era: $ 25.00.El precio actual es: $ 13.04.
SMD0805-075 Fusible Reseteable 6V 1.5A SMD 0805 El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 3.00.
Oscilador 32.768KHz SMD 8032 X803832768KID4GI El precio original era: $ 16.00.El precio actual es: $ 14.00.
AD620ARZ-REEL7 Amplificador Operacional SMD El precio original era: $ 170.00.El precio actual es: $ 153.00.
PBS-110 Interruptor Push Button NA Rango de precios: desde $ 9.00 hasta $ 12.00
TCC0805COG100J500BT Capacitor Cerámico 0805 10pF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.50.
TCAN1051HVD Transceptor CAN SMD El precio original era: $ 45.00.El precio actual es: $ 36.00.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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