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2SC3866 Transistor NPN 800V 3A TO-220C El precio original era: $ 15.00.El precio actual es: $ 11.00.
2SK3018 Mosfet N 30v 100mA SMD El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 0.47.
Capacitor Electrolítico 4.7uF 35V SMD $ 5.00
Módulo de Detección de Rotura de Filamento de Impresora 3D
Valorado con 4.00 de 5
El precio original era: $ 64.00.El precio actual es: $ 51.00.
K202 Controlador de Huellas + R503 Sensor Dactilar El precio original era: $ 773.00.El precio actual es: $ 525.48.
BSS123 Mosfet N 100v 200mA SMD El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 0.77.
1206W4F820JT5E Resistor 82 Ohms 1/4W 1206 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.33.
TCA6416APWR IC SMD Expansor IO El precio original era: $ 57.00.El precio actual es: $ 24.57.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

$ 11.00

131 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.33
100 piezas	$ 8.25
200 piezas	$ 6.69

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	0.01 × 0.01 × 0.01 cm

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