Mosfet N 100v 200mA SMD BSS123, encuentra más transistores Aquí.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
- Transistor Mosfet N
- Tipo de FET: Canal N
- SMD/SMT
- Paquete: SOT-23
- Voltaje de drenaje (Vdss): 100V
- Corriente drenaje (Id): 200mA
- Vgs (th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250uA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ω @ 200mA,10V
- Potencia de disipación: 350mW
- RoHS: Libre de plomo

IRS2092S Amplificador de Potencia 500W Clase D HIFI
74LVC14AD,118 Inversor Schmitt
XIAO Pantalla Redonda Táctil 1.28 Pulgadas de 240x240
NanoKVM Full IP-KVM RISC-V
IRF9640 Transistor MOSFET 200V 11A Canal P









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