2SC3866 Transistor NPN 800V 3A TO-220C El precio original era: $ 15.00.El precio actual es: $ 11.00.
YX-PCG Cajas Impermeables Rango de precios: desde $ 149.00 hasta $ 587.00
Inversor de Voltaje DC-AC 150W 12 VDC 110/280 VCA El precio original era: $ 150.00.El precio actual es: $ 135.00.
Conectores 5557 Macho 4.2mm de 2/4/6/8/16/24 Pines Rango de precios: desde $ 2.00 hasta $ 7.00
CR1206J40683G Resistor 68K Ohms 1/4W 1206 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.14.
FNR4030S560MT Inductor de Ferrita 56uH 650mA El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 1.26.
Resistencia de Carbón 1/4W 5% Varios Valores Rango de precios: desde $ 0.10 hasta $ 0.50
Micrófono Electret 9x7 mm El precio original era: $ 7.00.El precio actual es: $ 6.00.

IRLB3034 Transistor MOSFET 40V 195A Canal N

$ 15.00

72 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 12.85
100 piezas	$ 11.26
200 piezas	$ 9.03

SKU: AR0865 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, MOSFETS Etiquetas: AR0865, IRLB3034, mosfet, to-220, TO-220AB, transistor, Transistor Mosfet

INFORMACIÓN

IRLB3034 es un transistor MOSFET por sus siglas “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, es de un 1 canal tipo N, tiene 3 pines y un encapsulado TO-220AB, con capacidad de manejar energía de 40V y 195A. El IRLB3034 es un transistor de potencia así como de alto rendimiento y baja frecuencia. Este transistor es eficiente en la amplificación o conmutación de señales electrónicas, en drivers para motores DC, por mencionar algunos.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Tipo: Transistor MOSFET
Serie: IRLB3034
Encapsulado: TO-220AB
Pines: 3
Canal: 1 N-Channel
Montaje: THT Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (Vds): 40V
Corriente de drenaje ID (@25°C) máx: 195A (Package Limit)
Voltaje compuerta-fuente (VGS(th)): 1.75V a 2.5V
Disipación de potencia (Pd): 375W (Requiere disipador de calor)

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

¿Cómo funciona un transistor MOSFET?

Los MOSFET son transistores que actúa como interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce, es decir, el voltaje aplicado a la puerta (Gate) permite hacer que fluya o no corriente entre drenador (Drain) y fuente (Source), existen de dos tipos dependiendo el semiconductor con el que fue fabricado (tipo N o P) que se llama sustrato.

Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato.

Diagrama de MOSFET Canal N y P

El MOSFET controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal llamado puerta (gate).